OMRON接近傳感器參數(shù)及特點

對模擬數(shù)字混合IC“PROX2"執(zhí)行“出廠時寫入溫度補償值"，將溫度變化對檢測距離的影響控制在較小，這是以往的模擬IC 無法實現(xiàn)的。

E2E NEXT的檢測距離約為以往產(chǎn)品的2倍。例如，M12的檢測距離為7mm，與以往的M18一樣。

與e-治具組合，可輕松地將現(xiàn)有設(shè)備升級為“傳感器更換時間10秒*1"的設(shè)備。

溫度的影響0～+85oC的溫度范圍內(nèi)+23oC時的檢測距離的±20%以內(nèi)

電壓的影響在額定電源電壓的±15%范圍內(nèi)，額定電源電壓時的檢測距離的±1.5%以內(nèi)

絕緣電阻50MΩ以上(DC500V兆歐表)充電部整體與外殼間

耐電壓AC1,000V 50/60Hz 1min充電部整體與外殼間

振動(耐久)10～55Hz 雙振幅1.5mmX、Y、Z各方向2h

沖擊(耐久)1,000m/s2X、Y、Z各方向10次

電源電壓DC10～30V含波動(p-p)10%、Class2

消耗功率720mW以下(電源電壓24V時30mA以下)

輸出形式B□型：PNP開路集電極C□型：NPN開路集電極

保護(hù)電路電源反接保護(hù)、浪涌吸收、負(fù)載短路保護(hù)、輸出反接保護(hù)

環(huán)境溫度范圍工作時：0oC～+85oC、保存時：-15oC～+85oC(無結(jié)冰、無結(jié)露)*3

環(huán)境濕度范圍工作時、保存時：各35～95%RH(無結(jié)露)

PRD(Pulse Response Detection)是指，圈中有脈沖狀的電流流過時，對檢測物體上產(chǎn)生的電流變化進(jìn)行檢測的技術(shù)。憑借飛濺物難以附著的氟樹脂涂層技術(shù)，即使將產(chǎn)品安裝在飛濺物飛散的場所，維護(hù)頻率也可以保持在較低情況。

以轉(zhuǎn)速130rpm用不銹鋼刷進(jìn)行耐磨損性測試的結(jié)果，樹脂檢測頭在50分鐘時發(fā)生絕緣破壞，而金屬檢測頭即使400分鐘后也未發(fā)生絕緣破壞。

可實時了解接近傳感器檢測到多少檢測物體，從而掌握無法通過目視了解的設(shè)備日常的條件變化。

鐵和鋁共有有M12和M18尺寸、加上NO和NC各輸出類型的合計4個機(jī)型庫存的用戶，在使用E2EW時可將該4個機(jī)型合并為M12尺寸NO＋NC 2輸出型的1個機(jī)型。

無需繁雜的庫存管理，還可大幅減少庫存貨架的空間。

E2E NEXT系列憑借長距離穩(wěn)定檢測技術(shù)“熱敏遠(yuǎn)距離控制"和模擬數(shù)字混合IC，解決了增大接近傳感器檢測距離時的課題——溫度變化產(chǎn)生的影響以及傳感器的個體差異。

OMRON接近傳感器參數(shù)及特點